Technical parameters/rated voltage (DC): | 20.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 225 mA |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 3.4 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 440 mW |
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Technical parameters/threshold voltage: | 400 mV |
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Technical parameters/Input capacitance: | 11.0 pF |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 20 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 20 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±10.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 285 mA |
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Technical parameters/rise time: | 15 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 11pF @10V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 310 mW |
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Technical parameters/descent time: | 15 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 310mW (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-723-3 |
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Dimensions/Length: | 1.25 mm |
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Dimensions/Width: | 0.85 mm |
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Dimensions/Height: | 0.55 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-723-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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