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Technical parameters/output current: | ≤50 mA |
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Technical parameters/power supply current: | 70 µA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/dissipated power: | 725 mW |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 70 dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 500 nV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 187 kHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 120 mV/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 200 kHz |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 200 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 1 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 0.2 MHz |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 725 mW |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 70 dB |
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Technical parameters/power supply voltage: | 2.7V ~ 8V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 8 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.7 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 125℃ |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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LMC6062IMX/NOPB
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National Semiconductor | 类似代替 | SOIC-8 |
运算放大器, 精密, 2个放大器, 100 kHz, 35 V/µs, 4.5V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚
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TLV2252ID
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TI | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLV2252ID 运算放大器, 双路, 187 kHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 2.7V 至 8V, SOIC, 8 引脚
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TLV2252QDR
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TI | 完全替代 | SOIC-8 |
高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS
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