Technical parameters/rated voltage (DC): | 900 V |
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Technical parameters/rated current: | 1.60 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 7.1 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 50 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 5 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 1000 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 1.00 kV |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±30.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 1.60 mA |
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Technical parameters/rise time: | 30 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 520pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 2.5 W |
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Technical parameters/descent time: | 35 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-252-3 |
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Dimensions/Length: | 6.6 mm |
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Dimensions/Width: | 6.1 mm |
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Dimensions/Height: | 2.3 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-252-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQD2N100
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Fairchild | 功能相似 | DPAK |
1000V N沟道MOSFET 1000V N-Channel MOSFET
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STD2NK100Z
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS STD2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V
|
||
STD3NK100Z
|
ST Microelectronics | 功能相似 | TO-252-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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