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Technical parameters/rated voltage (DC): | 100 V |
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Technical parameters/rated current: | 75.0 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.0067 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 515 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 4 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 100 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 100 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 75.0 A |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 7585pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 515 W |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 515W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-247-3 |
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Dimensions/Length: | 15.87 mm |
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Dimensions/Width: | 4.82 mm |
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Dimensions/Height: | 20.82 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-247-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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Compliant with standard/REACH SVHC version: | 2015/06/15 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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HUF75652G3
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Fairchild | 功能相似 | TO-247-3 |
75A ， 100V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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HUF75652G3
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
75A ， 100V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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STW120NF10
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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