Technical parameters/rated voltage (DC): | 400 V |
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Technical parameters/rated current: | 300 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 625 mW |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 400 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 0.3A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 50 @10mA, 10V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 200 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 625 mW |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 40 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 625 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-226-3 |
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Dimensions/Length: | 4.58 mm |
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Dimensions/Width: | 3.86 mm |
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Dimensions/Height: | 4.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-226-3 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Bulk |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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Compliant with standard/REACH SVHC version: | 2015/06/15 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSP44TA
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSP44TA 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE
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KSP44TA
|
Fairchild | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSP44TA 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE
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||
KSP44TF
|
Fairchild | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSP44TF 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 1.5 W, 300 mA, 40 hFE
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