Technical parameters/rated voltage (DC): | 120 V |
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Technical parameters/rated current: | 500 mA |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 800 mW |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 70 MHz |
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Technical parameters/collector breakdown voltage: | 120 V |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 80 V |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 40 @150mA, 10V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 120 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 800 mW |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 80 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 800 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-5-3 |
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Dimensions/Length: | 9.4 mm |
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Dimensions/Width: | 9.4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-5-3 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Not Recommended for New Designs |
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Other/Packaging Methods: | Bulk |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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