Technical parameters/operating voltage: | 17.1 V |
|
Technical parameters/breakdown voltage: | 19 V |
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Technical parameters/clamp voltage: | 27.7 V |
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Technical parameters/test current: | 1 mA |
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Technical parameters/peak pulse power: | 1500 W |
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Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: | 19 V |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -60 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 2 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | DO-201AD-2 |
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Dimensions/Height: | 9.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | DO-201AD-2 |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Manufacturing Applications: | General |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | lead-free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N6278AG
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Littelfuse | 功能相似 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6278AG
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ON Semiconductor | 功能相似 | 41A-04 |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6278ARL4
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ON Semiconductor | 功能相似 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
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