Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-220AB |
|
Dimensions/Packaging: | TO-220AB |
|
Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
|
Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
|
Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
|
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NSPBF
|
Infineon | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
|
||
IRF640NSTRRPBF
|
International Rectifier | 功能相似 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 200V 18A
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review