Technical parameters/frequency: | 2 MHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | -60.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -10.0 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | PNP, P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 75 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 60 V |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 20 @4A, 4V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 70 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 75 W |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 20 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 75000 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-220-3 |
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Dimensions/Length: | 10.4 mm |
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Dimensions/Width: | 4.6 mm |
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Dimensions/Height: | 9.15 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-220-3 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manufacturing Applications: | Industrial, Industrial |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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