Technical parameters/operating temperature (Max): | 70 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 0 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 1180 mW |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC |
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Dimensions/Packaging: | SOIC |
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Other/Packaging Methods: | Rail |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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NE555D
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555D
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555D
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Signetics | 类似代替 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555D
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Fairchild | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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HTC | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555DR
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS NE555DR 芯片, 单高精度定时器
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