Encapsulation parameters/Encapsulation: | SFM |
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Dimensions/Packaging: | SFM |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BUZ72
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Siemens Semiconductor | 功能相似 | SFM |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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BUZ72
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Infineon | 功能相似 | TO-220 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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IRF520N
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International Rectifier | 功能相似 | TO-220 |
TO-220AB N-CH 100V 9.7A
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IRF520N
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IRF | 功能相似 | TO-220-3 |
TO-220AB N-CH 100V 9.7A
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IRF520NPBF
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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Arduino | 功能相似 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Motorola | 功能相似 | CASE 221A-09 |
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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IRF530
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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IRF530
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Fairchild | 功能相似 |
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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IRF530
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Major Brands | 功能相似 |
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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