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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 36.0 V |
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Technical parameters/power supply current: | 1.5 mA |
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Technical parameters/number of circuits: | 1 |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 70 dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 2.00 µV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 4 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 10.0 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 4 MHz |
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Technical parameters/Over temperature protection: | No |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 200 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 5 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 4 MHz |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 70 dB |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manufacturing Applications: | industry |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead st Alternative material
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