Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.57 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 40 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 600mA |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 180 @300mA, 5V |
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Technical parameters/rated power (Max): | 250 mW |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 570 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-3 |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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DTA124EKAT146
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ROHM Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
ROHM DTA124EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE
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PBRP123ET
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NXP | 类似代替 | SOT-23 |
PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 2.2千瓦，R 2 = 2.2千瓦 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
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PBRP123YT
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBRP123YT
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBRP123YT,215
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Nexperia | 类似代替 | SOT-23-3 |
TO-236AB PNP 40V 600mA
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PBRP123YT,215
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NXP | 类似代替 | SOT-23-3 |
TO-236AB PNP 40V 600mA
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