Technical parameters/output current: | ≤80 mA |
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Technical parameters/power supply current: | 625 µA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 65 dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 6.00 µV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 1.80 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 3.40 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 2 MHz |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 900 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 4 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 1.8 MHz |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 65 dB |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Rail, Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TLE2062ACD
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器,Texas Instruments
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TLE2062ACD
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National Semiconductor | 类似代替 | SOIC |
JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器,Texas Instruments
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TLE2062CDR
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLE2062CDR 芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOIC
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TLE2062ID
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National Semiconductor | 类似代替 | SOIC |
JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器,Texas Instruments
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TLE2062ID
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器,Texas Instruments
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