Technical parameters/gain bandwidth product: 1.8 MHz
Technical parameters/operating temperature (Max): 70 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): 0 ℃
Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): 65 dB
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC
External dimensions/packaging: SOIC
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TLE2062CDR
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLE2062CDR 芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOIC
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TLE2062ID
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National Semiconductor | 类似代替 | SOIC |
JFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器，Texas Instruments
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TLE2062ID
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
JFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器，Texas Instruments
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