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Category: MOSpipeDescription: WOLFSPEED CCS020M12CM2 Single transistor bipolar, Six N Channel, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.2 V81071+$3256.564310+$3226.959225+$3212.156650+$3197.3540100+$3182.5515150+$3167.7489250+$3152.9463500+$3138.1438 -
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Category: MOSpipeDescription: WOLFSPEED CAS300M17BM2 Single transistor bipolar, dual N-channel, 325 A, 1.7 kV, 0.008 ohm, 20 V, 2.3 V4088 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed Silicon carbide power MOSFET Wolfspeed Z-Fet ™、 C2M ™ And C3M ™ Silicon carbide power MOSFET. Cree Power Division Wolfspeed offers a range of second-generation SiC MOSFETs that provide industry-leading power density and switching efficiency. These low capacitance devices allow for higher switching frequencies and lower cooling requirements to improve overall system efficiency. Enhanced mode N-channel SiC technology with high drain source breakdown voltage up to 1200V. Multiple devices are easy to parallelize and drive for high-speed switching, with low on resistance and anti latch operation. MOSFET transistors, Wolfspeed99711+$41.875310+$39.4726100+$37.6878250+$37.4132500+$37.13861000+$36.82972500+$36.55515000+$36.3834 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed Silicon carbide power MOSFET Wolfspeed Z-Fet ™、 C2M ™ And C3M ™ Silicon carbide power MOSFET. Cree Power Division Wolfspeed offers a range of second-generation SiC MOSFETs that provide industry-leading power density and switching efficiency. These low capacitance devices allow for higher switching frequencies and lower cooling requirements to improve overall system efficiency. Enhanced mode N-channel SiC technology with high drain source breakdown voltage up to 1200V. Multiple devices are easy to parallelize and drive for high-speed switching, with low on resistance and anti latch operation. MOSFET transistors, Wolfspeed55411+$118.143010+$115.061050+$112.6981100+$111.8762200+$111.2598500+$110.43801000+$109.92432000+$109.4106 -
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Category: MOSpipeDescription: MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO24752361+$57.532810+$54.2317100+$51.7795250+$51.4022500+$51.02501000+$50.60052500+$50.22335000+$49.9875 -
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Category: MOSpipeDescription: WOLFSPEED C2M0025120D Power Field Effect Transistor, MOSFET, N-channel, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, 20 V, 2.4 V36971+$749.227410+$722.938750+$719.6526100+$716.3665150+$711.1088250+$706.5083500+$701.90781000+$696.6500 -
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Category: MOSpipeDescription: WOLFSPEED CCS050M12CM2 Single transistor bipolar, 6 pieces, N-channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, 20 V, 2.3 V9294 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed7323 -
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Category: MOSpipeDescription: WOLFSPEED CAS100H12AM1 单晶体管 双极, 双N沟道, 168 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 20 V, 2.6 V6402 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed2762 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET 模块 Wolfspeed（Cree Inc. 能源动力公司）碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 (2 MOSFET) 和 3 相 (6 MOSFET) 格式；它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括：感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。 MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。 超低损耗高频操作 因 SiC 特性而易于并联 常闭，故障安全操作 铜基板和氮化铝绝缘体，可降低热要求 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed1382 -
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Category: MOSpipeDescription: MOSFET，C3M 系列，Cree Inc. 新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc.8941 -
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Category: MOSpipeDescription: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed4867
