Technical parameters/power supply voltage (Max): 16 V
Technical parameters/power supply voltage (Min): 4.5 V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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TC426EOA
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Microchip | 完全替代 | SOIC-8 |
TC426/427/428 MOSFET 驱动器 Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。 ### 特点 高速切换 (CL = 1000 pF)：30 ns 高峰值输出电流：1.5A 高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV 低输入电流（逻辑0或1）：1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相 工作电源电压：4.5V 至 18V 电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗：6 Ω 防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护：2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
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TC427EOA
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Microchip | 完全替代 | SOIC-8 |
TC426/427/428 MOSFET 驱动器 Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。 ### 特点 高速切换 (CL = 1000 pF)：30 ns 高峰值输出电流：1.5A 高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV 低输入电流（逻辑0或1）：1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相 工作电源电压：4.5V 至 18V 电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗：6 Ω 防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护：2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
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TC4426EOA
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Microchip | 类似代替 | SOIC-8 |
MICROCHIP TC4426EOA 双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
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TC4426EOA
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Micrel | 类似代替 | SOIC-8 |
MICROCHIP TC4426EOA 双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
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