Technical parameters/dissipated power: 259000 mW
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 1200 V
Technical parameters/reverse recovery time: 231 ns
Technical parameters/rated power (Max): 259 W
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 259000 mW
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-247-3
External dimensions/packaging: TO-247-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG7PH28UD1PBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-247-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG7PH28UD1PBF
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Infineon | 功能相似 | TO-247-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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||
IRG7PH30K10DPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-247-3 |
Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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