Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/dissipated power: 1200 mW
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 40 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 1A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 300 @500mA, 5V
Technical parameters/Maximum current amplification factor (hFE): 300 @1mA, 5V
Technical parameters/rated power (Max): 500 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1200 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 6
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-563
External dimensions/packaging: SOT-563
Physical parameters/operating temperature: 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DSS4140V-7
|
Diodes | 功能相似 | SOT-563 |
三极管(BJT) DSS4140V-7 SOT-563
|
||
PBSS4140V
|
Nexperia | 功能相似 | SSMini |
低饱和电压 NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
|
||
PBSS4140V
|
NXP | 功能相似 | SOT-666 |
低饱和电压 NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review