Technical parameters/number of contacts: 3
Technical parameters/rated voltage (DC): 800 V
Technical parameters/rated current: 7.60 A
Technical parameters/forward voltage: 1.6 V
Technical parameters/holding current: 40.0 mA
Technical parameters/thermal resistance: 1.5℃/W (RθJC)
Technical parameters/forward current: 12 A
Technical parameters/Holding current (Max): 40 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/working junction temperature (Max): 125 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/height: 9.4 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Motorola | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6507G
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Z-TEK | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6509G
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NXP | 完全替代 | TO-220 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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S8012RTP
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Littelfuse | 完全替代 | TO-220 |
晶闸管, 800 V, 20 mA, 7.6 A, 12 A, TO-220AB, 3 引脚
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