Technical parameters/digits: 8, 16
Technical parameters/access time (Max): 90 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Package parameters/number of pins: 64
Encapsulation parameters/Encapsulation: BGA
External dimensions/packaging: BGA
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs information/ECCN code: 3A991.b.1.a
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
S29GL128P90FAIR12
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Cypress Semiconductor | 完全替代 | BGA-64 |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 90ns 64Pin Fortified BGA T/R
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Spansion | 完全替代 | LBGA |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 90ns 64Pin Fortified BGA T/R
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AMD | 完全替代 |
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL128P90FFIR10
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Spansion | 完全替代 | BGA-64 |
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL128P90FFIR10
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Cypress Semiconductor | 完全替代 | BGA-64 |
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL128P90FFIR20
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Cypress Semiconductor | 完全替代 | BGA-64 |
S29GL128P 系列 128 Mb (16M x 8) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
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S29GL128P90FFIR20
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AMD | 完全替代 |
S29GL128P 系列 128 Mb (16M x 8) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
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