Technical parameters/number of pins: 8
Technical parameters/clock frequency: 133 MHz
Technical parameters/access time (Max): 8 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 2.7V ~ 3.6V
Technical parameters/power supply voltage (Max): 3.6 V
Technical parameters/power supply voltage (Min): 2.7 V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: WSON-8
External dimensions/packaging: WSON-8
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 85℃
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
S25FL256SAGNFI000
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AMD | 完全替代 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI000
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Spansion | 完全替代 | WSON-8 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI000
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Cypress Semiconductor | 完全替代 | WSON-8 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI001
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Spansion | 完全替代 | WSON |
FL-S 系列 256 M (32 M x 8) 3.6 V MirrorBit® 闪存 非易失性 存储器 - WSON-8
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