Technical parameters/digits: 1
Technical parameters/access time (Max): 8 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 105 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Package parameters/number of pins: 16
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-16
External dimensions/height: 2.55 mm
External dimensions/packaging: SOIC-16
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 105℃
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
S25FL064P0XMFI001
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Spansion | 类似代替 | SOIC-16 |
FL-P 系列 64 M (8 M x 8) 3.6 V 104 MHz 表面贴装 闪存 - SOIC-16
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S25FL164K0XMFI011
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Spansion | 功能相似 | SOIC-8 |
S25FL164K 系列 64 Mb (8M x 8) 3 V 108 MHz SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-8
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SST26VF064B-104I/SO
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Microchip | 功能相似 | SOIC-16 |
SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
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