Technical parameters/power supply voltage (DC): 3.30 V, 3.60 V (max)
Technical parameters/clock frequency: 70.0 GHz
Technical parameters/digits: 16
Technical parameters/access time: 70.0 ns
Technical parameters/memory capacity: 4000000 B
Technical parameters/access time (Max): 70 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 2.7V ~ 3.6V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 44
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSOP-44
External dimensions/packaging: TSOP-44
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 85℃ (TA)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
Customs information/ECCN code: 3A991.b.2.a
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV25616BLL-55TLI
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Integrated Silicon Solution | 功能相似 | TSOP-44 |
RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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