Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/forward voltage: 700mV @30A
Technical parameters/forward current: 30 A
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 200 A
Technical parameters/forward voltage (Max): 700 mV
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/operating temperature: 200℃ (Max)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3
External dimensions/packaging: TO-263-3
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Each
Other/Manufacturing Applications: Power Management, Industrial, Commercial
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VBT3045BP-E3/4W
|
Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-263-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
||
VBT3045BP-E3/4W
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-263 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
||
VBT3045BP-E3/4W
|
VISHAY | 类似代替 | TO-263 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review