Technical parameters/forward voltage: 1.5V @200mA
Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/test current: 2 mA
Technical parameters/voltage regulation value: 20 V
Technical parameters/rated power (Max): 500 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 500 mW
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-35
External dimensions/length: 3.9 mm
External dimensions/width: 1.7 mm
External dimensions/height: 1.7 mm
External dimensions/packaging: DO-35
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TZX18C-TR
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VISHAY | 类似代替 | DO-35 |
500mW,TZX 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
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TZX20A-TR
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
Diode Zener Single 19.25V 2% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin DO-35 T/R
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VISHAY | 完全替代 | DO-35 |
Diode Zener Single 19.25V 2% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin DO-35 T/R
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TZX20C-TR
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-35-2 |
500mW,TZX 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
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TZX20C-TR
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VISHAY | 完全替代 | DO-35 |
500mW,TZX 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
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TZX20C-TR
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Vishay Siliconix | 完全替代 |
500mW,TZX 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
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