Technical parameters/rated voltage (DC): 400 V
Technical parameters/rated current: 50.0 A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 |
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
|
|||
VS-50RIA40
|
Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-208 |
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
|
||
VS-50RIA40
|
VISHAY | 类似代替 | TO-65 |
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review