Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/product series: IRFS23N20D
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 200 V
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1960pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 3.8 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3
External dimensions/packaging: TO-263-3
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRFS23N20DPBF
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Infineon | 完全替代 | TO-263-3 |
INFINEON IRFS23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
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IRFS31N20DPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFS31N20DTRLP
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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