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Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/packaging: TO-220-3
Other/궟동: Single
Other/Case/Package: TO-220FP-3
Other/Packaging: Tube
Other/Brand: Vishay / Siliconix
Other/동착 동: Through Hole
Other/Soft 랜イ동터극동: N-Channel
Other/Channel Mode: Enhancement
Other/하강 Economy: 28 ns
Other/Id - Link Files: 6.6 A
Other/Delete 동업체: Vishay
Other/동대작동온도: 150 C
Other/π소작동온도: 55 C
Other/Pd - 력발산: 60 W
Other/Delete 품카테 High speed: Single-Gate MOSFET Transistors
Other/RDs On - Drain Source 저항: 520 mOhms
Other/상승クク: 35 ns
Other/Standard Pack Qty: 50
Other/표준오프い Contact Us: 32 ns
Other/Vds - 레イ?동항복압: 500 V
Other/Vgs - 게イプ - ?동항복압: 30 V
Other/RoHS: Non-Compliant
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDPF16N50UT
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-220-3 |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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Vishay Precision Group | 完全替代 | TO-220 |
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
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IRFIB7N50A
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IRF | 完全替代 |
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
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