Technical parameters/drain source resistance: 0.14 Ω
Technical parameters/dissipated power: 42 W
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: Full-Pak
External dimensions/length: 10.4 mm
External dimensions/height: 9.15 mm
External dimensions/packaging: Full-Pak
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRFI9Z34G
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-220-3 |
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
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IRFI9Z34G
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-220-3 |
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
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IRFI9Z34G
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VISHAY | 完全替代 | TO-220 |
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
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IRFI9Z34G
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IRF | 完全替代 |
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
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IFA | 功能相似 |
MOSFET,Infineon D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLIB9343PBF
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Infineon | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET,Infineon D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Motorola | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR NTP2955G 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 196 mohm, -10 V, -4 V
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