Technical parameters/rated voltage (DC): -55.0 V
Technical parameters/rated current: -31.0 A
Technical parameters/product series: IRF5305S
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 31.0 A
Technical parameters/rise time: 66.0 ns
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263
External dimensions/packaging: TO-263
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tape
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5305SPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-252-3 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF5305STRRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-252-3 |
D2PAK P-CH 55V 31A
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