Technical parameters/rated voltage (DC): 30.0 V
Technical parameters/rated current: 200 mA
Technical parameters/capacitors: 8.00 pF
Technical parameters/output current: ≤200 mA
Technical parameters/polarity: Standard
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323
External dimensions/packaging: SOT-323
Other/Product Lifecycle: Unknown
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Transys Electronics | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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KUU | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Microsemi | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54AW
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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CJ | 类似代替 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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ST Microelectronics | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54AW
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54AW
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UTC | 类似代替 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54AW
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Comchip Technology | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54AW,115
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Nexperia | 类似代替 | SOT-323-3 |
NXP BAT54AW,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
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