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Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220
External dimensions/packaging: TO-220
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Freescale | 功能相似 | TO-247 |
HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
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HGTG12N60A4D
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Fairchild | 功能相似 | TO-247-3 |
HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
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HGTG12N60A4D
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
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Freescale | 功能相似 | TO-247 |
单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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HGTG20N60A4D
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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HGTG30N60A4
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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IRG4PC40UDPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-247-3 |
INFINEON IRG4PC40UDPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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IRG4PC40UDPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-247-3 |
INFINEON IRG4PC40UDPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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IRG4PC50UDPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-247-3 |
INFINEON IRG4PC50UDPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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IRG4PC50UDPBF
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRG4PC50UDPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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IRG4PC50WPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-247-3 |
INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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IRG4PC50WPBF
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
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