Technical parameters/number of channels: 1
Technical parameters/drain source resistance: 6.8 mΩ
Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/dissipated power: 79 W
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 40 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 40 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 82A
Technical parameters/rise time: 8 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 2700pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 79 W
Technical parameters/descent time: 7 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 79W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252-3
External dimensions/length: 6.5 mm
External dimensions/width: 6.22 mm
External dimensions/height: 2.3 mm
External dimensions/packaging: TO-252-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IPD75N04S4-06
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Infineon | 类似代替 | TO-252-3 |
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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STD90N4F3
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-252-3 |
N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET
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