Technical parameters/forward voltage: 1V @6A
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 175 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 4
Encapsulation parameters/Encapsulation: SIP-4
External dimensions/length: 22.3 mm
External dimensions/width: 3.56 mm
External dimensions/height: 18.8 mm
External dimensions/packaging: SIP-4
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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DIYI Electronic | 类似代替 | GBU |
GBU 系列 1000 V 6 A 玻璃钝化 单相 整流器 桥式 - GBU
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GBU610
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Diodes | 类似代替 | SIP-4 |
GBU 系列 1000 V 6 A 玻璃钝化 单相 整流器 桥式 - GBU
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GBU610
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Kingtronics | 类似代替 |
GBU 系列 1000 V 6 A 玻璃钝化 单相 整流器 桥式 - GBU
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GBU610
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Jingdao | 类似代替 | GBU |
GBU 系列 1000 V 6 A 玻璃钝化 单相 整流器 桥式 - GBU
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GBU610
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LiteOn | 类似代替 | Case GBU |
GBU 系列 1000 V 6 A 玻璃钝化 单相 整流器 桥式 - GBU
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Won-Top Electronics | 类似代替 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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Microsemi | 类似代替 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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Taitron | 类似代替 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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GBU6M
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Leshan Radio | 类似代替 | GBU-4 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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GBU6M
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EIC | 类似代替 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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GBU6M
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ON Semiconductor | 类似代替 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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GBU6M
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Fairchild | 类似代替 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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GBU6M
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Good-Ark Electronics | 类似代替 | GBU |
ON Semiconductor GBU6M 单相 整流桥, 6A 1000V, 4引脚 GBU封装
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