Technical parameters/rated voltage (DC): 25.0 V
Technical parameters/rated current: 200 mA
Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 25 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.2A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 120 @2mA, 1V
Technical parameters/rated power (Max): 350 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT4124
|
Fairchild | 类似代替 | SOT-23-3 |
NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
MMBT4124
|
Rochester | 类似代替 | SOT-23 |
NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
|
|
Vishay Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
MMBT4124
|
Transys Electronics | 类似代替 |
NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review