Technical parameters/working voltage: 15 V
Technical parameters/breakdown voltage: 16.7 V
Technical parameters/dissipated power: 400 W
Technical parameters/clamp voltage: 24.4 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 15V
Technical parameters/test current: 1 mA
Technical parameters/peak pulse power: 400 W
Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: 16.7 V
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 150℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-214AC-2
External dimensions/packaging: DO-214AC-2
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: General
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1SMA15AT3G
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ON Semiconductor | 完全替代 | SMA |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMA15AT3G
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Littelfuse | 完全替代 | SMA |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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