Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-126-3
External dimensions/packaging: TO-126-3
Other/Product Lifecycle: Unknown
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Central Semiconductor | 功能相似 | SIP |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Multicomp | 功能相似 | TO-126 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Continental Device | 功能相似 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Philips | 功能相似 | TO-126 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Fairchild | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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NXP | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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CDIL | 功能相似 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BD135-16
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Philips | 类似代替 | SOT-32 |
STMICROELECTRONICS BD135-16 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE
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BD135-16
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ST Microelectronics | 类似代替 | TO-126-3 |
STMICROELECTRONICS BD135-16 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE
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BD135-16
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Continental Device | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS BD135-16 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE
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BD135-BP
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Micro Commercial Components | 功能相似 | TO-126 |
TO-126 NPN 45V 1.5A
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BD135G
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-126-3 |
ON SEMICONDUCTOR BD135G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新
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