Technical parameters/rated voltage (DC): -45.0 V
Technical parameters/rated current: -100 mA
Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 45 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.1A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 250 @2mA, 5V
Technical parameters/rated power (Max): 350 mW
Technical parameters/dissipated power (Max): 350 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCX71J
|
NXP | 完全替代 | TO-236 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
BCX71J
|
Siemens AG | 完全替代 | SOT-23 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
BCX71J
|
ON Semiconductor | 完全替代 | SOT-23-3 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review