Technical parameters/forward voltage: 800mV @100mA
Technical parameters/forward current: 200 mA
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 5 A
Technical parameters/forward voltage (Max): 800 mV
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/operating temperature: 125℃ (Max)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: SMD-2
External dimensions/length: 1.9 mm
External dimensions/width: 1.15 mm
External dimensions/height: 1.15 mm
External dimensions/packaging: SMD-2
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BAS385-TR
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VISHAY | 完全替代 | MicroMELF |
Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管，具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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BAS385-TR
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Vishay Dale | 完全替代 |
Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管，具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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BAS385-TR
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Telcom Semiconductor | 完全替代 | Micro MELF |
Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管，具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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