Technical parameters/forward voltage (Max): 1.25 V
Technical parameters/forward current (Max): 225 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323
External dimensions/length: 2.2 mm
External dimensions/width: 1.35 mm
External dimensions/height: 1.1 mm
External dimensions/packaging: SOT-323
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BAS21AW
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Nexperia | 完全替代 | SOT-323 |
NXP BAS21AW 二极管 小信号, 双共阳极, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
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BAS21AW
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NXP | 完全替代 | SOT-323 |
NXP BAS21AW 二极管 小信号, 双共阳极, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
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BAS21S
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Galaxy Semi-Conductor | 类似代替 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
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BAS21S
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Kexin | 类似代替 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
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WEJ Electronic | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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Luguang Electronic | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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SHIKUES | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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Yea Shin Technology | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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TY Semiconductor | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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BAS21W
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Diodes | 类似代替 | SOT-323 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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BAS21W
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Nexperia | 类似代替 | SOT-323 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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BAS21W
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Comchip Technology | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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