Technical parameters/rated power: 60 W
Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/drain source resistance: 0.0725 Ω
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 60 W
Technical parameters/threshold voltage: 5 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 100 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 18A
Technical parameters/rise time: 28 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 550pF @50V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 60 W
Technical parameters/descent time: 3.9 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 60W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/length: 10.66 mm
External dimensions/width: 4.82 mm
External dimensions/height: 9.02 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/materials: Silicon
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Not Recommended for New Designs
Other/Packaging Methods: Tube
Other/Manufacturing Applications: Power Management, Push Pull, Class D Audio, Audio, Audio, Full Barrier, Consumer Electronics, Consumer Electronics, Power Management, Consumer Full Barrier
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2015/12/17
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF520NPBF
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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Arduino | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF540ZPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRF540ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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IRF540ZPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRF540ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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STP24NF10
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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