Technical parameters/forward voltage: 1.4V @6A
Technical parameters/reverse recovery time: 200 ns
Technical parameters/forward current: 6000 mA
Technical parameters/forward voltage (Max): 1.4V @6A
Technical parameters/forward current (Max): 6 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Chassis
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-203AA
External dimensions/packaging: DO-203AA
Physical parameters/operating temperature: 100 ℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N3882
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VISHAY | 功能相似 | DO-203AA |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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1N3882
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GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | DO-4 |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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1N3882R
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GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | DO-4 |
Diode Switching 300V 6A 2Pin DO-4
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1N3882R
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VISHAY | 功能相似 | DO-203AA |
Diode Switching 300V 6A 2Pin DO-4
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1N3883
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VISHAY | 功能相似 | DO-203AA |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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International Rectifier | 功能相似 | DO-4 |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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1N3883
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Microsemi | 功能相似 | DO-4 |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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1N3883
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Microchip | 功能相似 |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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1N3883
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GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | DO-203AA |
快恢复二极管(梭哈版) , 16年6月12日一 Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
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