Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 50 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 5A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 200 @500mA, 2V
Technical parameters/rated power (Max): 1 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252-3
External dimensions/packaging: TO-252-3
Physical parameters/operating temperature: 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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2SA2039-TL-E
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-252-3 |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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2SB1203T-TL-E
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-252-3 |
双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, (â)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
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2SB1203T-TL-E
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Sanyo Semiconductor | 完全替代 | TO-252 |
双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, (â)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
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2SB1203T-TL-H
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-252-3 |
双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, (â)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
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