Technical parameters/power supply voltage (DC): 5.00 V, 5.50 V (max)
Technical parameters/clock frequency: 2 MHz
Technical parameters/access time: 2.00 µs
Technical parameters/memory capacity: 8000 B
Technical parameters/access time (Max): 230 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 2.5V ~ 5.5V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 85℃
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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24LC256T-I/SN
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Microchip | 类似代替 | SOIC-8 |
MICROCHIP 24LC256T-I/SN EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
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25LC080-I/SN
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Micrel | 类似代替 | SOIC-8 |
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大写入电流 3 mA 读取电流：500 μA（典型） 待机电流：500 nA（典型） 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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25LC080-I/SN
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Microchip | 类似代替 | SOIC-8 |
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大写入电流 3 mA 读取电流：500 μA（典型） 待机电流：500 nA（典型） 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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