Chip AI consultant
Technical parameters/access time: 900 ns
Technical parameters/power supply voltage (Max): 5.5 V
Technical parameters/power supply voltage (Min): 2.5 V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: MSOP-8
External dimensions/packaging: MSOP-8
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Rochester | 完全替代 |
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROM Microchip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 ### 特点 单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms（典型） 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24LC04B-I/ST
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Micrel | 完全替代 | TSSOP-8 |
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROM Microchip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 ### 特点 单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms（典型） 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24LC04B-I/ST
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Microchip | 完全替代 | TSSOP-8 |
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROM Microchip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 ### 特点 单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms（典型） 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24LC04BT-I/SN
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Microchip | 完全替代 | SOIC-8 |
24LC04 系列 4 Kb I2C 双线 (512 x 8) 2.5 V 串行 EEPROM 表面贴装 - SOIC-8
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