Technical parameters/number of contacts: 3
Technical parameters/rated voltage (DC): 600 V
Technical parameters/rated current: 10.0 A
Technical parameters/conversion rate: 50.0 V/μs
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/length: 10.28 mm
External dimensions/width: 4.82 mm
External dimensions/height: 9.28 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Z-TEK | 类似代替 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
2N6508G
|
Littelfuse | 类似代替 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
||
2N6508G
|
ON Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
||
2N6508G
|
Motorola | 类似代替 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
2N6509G
|
NXP | 类似代替 | TO-220 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review