Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/voltage regulation value: 3.3 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-35
External dimensions/packaging: DO-35
Other/Product Lifecycle: Active
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SynSemi | 类似代替 | DO-35 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
Microsemi | 类似代替 | DO-7 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
1N5226B
|
ON Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
Motorola | 类似代替 | DO-35 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
Philips | 类似代替 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
|||
1N5226B
|
Central Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
1N5226B
|
Vishay Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
1N5226 系列 500 mW 3.3 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
New Jersey Semiconductor | 类似代替 | 2 |
1N5236 系列 500 mW 7.5 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
CHENG-YI | 类似代替 |
1N5236 系列 500 mW 7.5 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
|||
1N5236B
|
ST Microelectronics | 类似代替 | DO-35 |
1N5236 系列 500 mW 7.5 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
|
Panjit | 类似代替 | DO-35 |
1N5236 系列 500 mW 7.5 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
||
|
1N5236B
|
DC Components | 类似代替 |
1N5236 系列 500 mW 7.5 V 20 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
|
|||
|
|
ON Semiconductor | 完全替代 |
Diode Zener Single 3.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 Ammo
|
|||
1N5988B_T50R
|
ON Semiconductor | 完全替代 |
Diode Zener Single 3.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R
|
|||
MMSZ4684T1G
|
ON Semiconductor | 功能相似 | SOD-123-2 |
ON SEMICONDUCTOR MMSZ4684T1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review