Technical parameters/rated voltage (DC): 56.0 V
Technical parameters/rated power: 1.50 kW
Technical parameters/breakdown voltage: 56.0 V
Technical parameters/number of circuits: 1
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 47.8V
Technical parameters/peak pulse power: 1500 W
Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: 53.2 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-201AD
External dimensions/length: 9.50 mm
External dimensions/diameter: 5.30 mm
External dimensions/packaging: DO-201AD
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Other/Manufacturing Applications: General
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Rectron | 功能相似 | DO-201-2 |
单向 47.8V
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1.5KE56A-T
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Diodes | 功能相似 | DO-201 |
单向 47.8V
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1.5KE56AG
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ON Semiconductor | 类似代替 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE56ARL4G
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Littelfuse | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5KE56ARL4G
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ON Semiconductor | 完全替代 | 41A-04 |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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