Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/dissipated power: 350 mW
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 30 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.3A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/gain bandwidth: 220 MHz
Technical parameters/dissipated power (Max): 350 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/height: 0.9 mm
External dimensions/packaging: SOT-23
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Customs information/HTS code: 85412100959
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Diodes | 功能相似 | SOT-23 |
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCV26
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCV26
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Infineon | 功能相似 | SOT-23 |
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BCV26
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Philips | 功能相似 | TO-236 |
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